Samsung onthult 30nm 64Gbit NAND chip

Nog geen tien maanden geleden kwam Samsung met het nieuws dat het een 50nm 16 Gbit multi-level cell (MLC) NAND flash geheugen chip ontwikkeld had. Deze chips hadden al de dubbele leessnelheid en een 50% hogere schrijfsnelheid van de bestaande MLC NAND chips. Nu onthult Samsung flashgeheugen met een nog hogere integratie van 30nm en een verviervoudiging van de capaciteit naar 64Gbit. Of er wederom verbeteringen op het gebied van de prestatie zijn bereikt, is nog niet bekend gemaakt.


Tot maximaal 16 van deze chips kunnen gecombineerd worden tot een flash module van 128 GByte. Dit brengt de mogelijkheden voor betaalbare Solid State Disk (SSD) weer een behoorlijk stuk dichterbij. Daar moet wel bij vermeld worden dat voor een echt snelle SSD, Single-Level Cell (SLC) NAND geheugen de voorkeur heeft. SLC NAND heeft een veel hogere lees/schrijf performance maar is ook duurder in productie.

Ook daar heeft Samsung aan gedacht en heeft een 32Gbit SLC NANd chip geïntroduceerd die op de zelfde productietechniek gebaseerd is als de MLC versie. Helaas duurt het nog tot 2009 voordat de chips in productie gaan.