Samsung bakt 2 Gbit geheugenchip op 50nm

Samsung is begonnen met het uitleveren van nieuwe DDR3 geheugenchips met een opslagcapaciteit van 2 Gbit. Deze sprong in datadichtheid is mogelijk gemaakt door de overstap naar een 50nm productieproces. Door de hogere datadichtheid zijn er minder geheugenchips nodig per module of kan de capaciteit weer worden verdubbeld. Zodoende kunnen geheugenmodules voor bijvoorbeeld notebooks kleiner worden gemaakt en behoort een DDR3 module met 16GB opslagcapaciteit tot de mogelijkheden.

Een geheugenmodule op basis van de nieuwe 2Gb chips zou volgens Samsung dus 40% zuiniger zijn dan een module op basis van de bestaande 1Gb DDR3 chips. De doorvoersnelheid van de nieuwe geheugenchips is vastgesteld op 1,3 Gbps, aanzienlijk meer dan de 800 Mbps van de oudere generatie DDR3 modules met 1 Gbit chips. Het nieuwe geheugen werkt op zowel 1,35V als op 1,5V.

De massaproductie van het nieuwe geheugen begint later dit jaar, zodat ze begin volgend jaar volop verkrijgbaar moeten zijn. Samsung heeft aangegeven dat ze over de hele linie van geheugenchips willen overstappen op het 50nm productieproces.

Tags: ddr3

Plaats op NuJij Plaats op eKudos