Eerste prototypes phase change geheugen
Nieuws » Eerste prototypes phase change geheugen
Nieuwsberichten
Eerste prototypes phase change geheugen
Auteur: Bert van Hal
Publicatiedatum: 09-02-2008 12:00
Categorie: Productnieuws
Bronnen: NordicHardware / TechnologyReview
Views: 2764
Intel en STMicroelectronics, opererend in een joint-venture met de naam Numonyx, hebben 's werelds eerste prototypes van een 90nm, 128Mbit Phase Change Memory (PCM) chip aangekondigd en verscheept naar partners. PCM of PRAM wordt als dé opvolger van flashgeheugen beschouwd. Hoewel Samsung in 2006 al een prototype van dit geheugen heeft gemaakt, is de chip van Numonyx toch iets bijzonders. Het is namelijk Multi-Level-Cell (MLC) geheugen en tot nu toe was er slechts Single-Level-Cell (SLC) geheugen van het PCM type bekend. Net als bij flashgeheugen houdt dat in dat één geheugencel in staat is meer dan twee stabiele toestanden aan te nemen. Intel en STMicroelectronics hebben een methode ontwikkeld om de warmte die nodig is om een glas-achtig materiaal (genaamd GST) van fase te laten veranderen, beter te doseren. Het gevolg is dat naast de twee al bekende toestanden (amorf en kristallijn) nog twee tussenliggende stabiele toestanden kunnen worden gebruikt. Bij het uitlezen heeft elke toestand een eigen specifieke electrische weerstand en zijn dus te onderscheiden. Dit heeft tot gevolg dat de data-dichtheid op één chip hoger kan zijn, er minder materiaal nodig is en de productiekosten dientengevolge lager uitvallen. Eneneens net als bij flashgeheugen heeft dit wel een negatieve invloed op de snelheid van het geheugen. Wat dat betreft is SLC geheugen superieur.
Het grootste voordeel van PRAM is de snelheid waarmee het beschreven kan worden en is vergelijkbaar met DRAM of SRAM. Ook is het mogelijk om een enkele cel te wissen in plaats van de noodzaak een heel blok te moeten wissen zoals bij flashgeheugen. Een tweede voordeel is de levensduur. Een blok van flashgeheugen kan tussen de 10.000 en 100.000 keer beschreven worden, eer deze de geest geeft. Bij PRAM geheugen moet eerder in de orde van grootte van 100 miljoen cycli worden gedacht voor dat het versleten is. In principe zou PRAM in bijvoorbeeld PDA's of smartphones het flash- én het DRAM geheugen kunnen vervangen. In grotere apparaten kan dat natuurlijk ook maar daar zijn afmetingen veel minder kritisch. Waar PRAM echt gaat uitblinken, is in Solid-State- Disks (SSD). Wanneer PRAM productierijp zal zijn is nog niet bekend maar met de huidige stand van zaken gaat dat zeker geen jaren meer duren.
![]() |
| 9 februari 2008, 15:20 | #2 |
Senior Member | 0 score Zeker heel interessant. Vooral het feit dat het zo vaak herschreven kan worden, wat toch erg groot nadeel is van het flashgeheugen, maakt dat dit meer toekomst heeft dan het flashgeheugen. Maar voordat dit het huidige geheugen (HD's?) heeft vervangen, zal nog wel tijdje duren denk. Vergt toch wel aardig wat aanpassingen. |
![]() ![]() ![]() | ![]() |
| 9 februari 2008, 17:37 | #3 |
Member | 0 score Zoveel aanpassingen zijn er niet nodig, enige dat nodig is is een sata interface en je hebt een hdd, kijk maar naar de huidige SSD's die in laptops voor 1000 euro (alleen de ssd dan he) te krijgen zijn |
![]() ![]() ![]() | ![]() |
| 9 februari 2008, 19:10 | #4 |
Senior Member | 0 score Die aanpassingen zijn vooral nodig als het ook het DRAM geheugen moet vervangen. |
![]() ![]() ![]() | ![]() |
| 10 februari 2008, 00:15 | #5 | |
Senior Member | 0 score Citaat:
En de vorige generatie die doet 100.000 write cycles per bit, en die gaat ook jaren mee. De chips daarvoor waren 10.000 en die waren niet zo duurzaam, maar die worden niet echt meer toegepast misschien in wat goedkope usb sticks nog, maar zeker niet in SSD's waar levensduur belangrijk is, mijn usb stick en mp3 speler worden namelijk niet zo erg belast als een SSD in een pc. Laatst gewijzigd door mad_max234; 1:15 om 1:15 | |
![]() ![]() ![]() | ![]() |
| 10 februari 2008, 14:44 | #6 |
Member | 0 score Blijft het feit dat er telkens een kompleet blok moet worden herschreven. Bits die eigenlijk niet herschreven hoeven te worden, worden dat wel en dat levert weer extra slijtage op. Bij gebruik in een USB stick of memorycard zal je waarschijnlijk nooit tegen problemen aanlopen. Die zijn al verouderd en weggegooid voordat ze werkelijk "versleten" zijn. Ik kan me voorstellen dat bij gebruik in een SSD waar flashgeheugen veel intensiever wordt gebruikt, de slijtage wel binnen de economische levensduur een rol kan gaan spelen. |
![]() ![]() ![]() | ![]() |
![]() |


















